半导体工艺胶带 — view 11 / 2
半导体工艺UV Dicing / Backgrind

半导体工艺胶带

ARIS No.6360 系列 UV 切割胶带,聚烯烃基材 + UV 释离胶粘剂,适用于晶圆、基板、玻璃和 LED 切割。低污染、高延展性,UV 照射后轻松拾取芯片。

品牌 / 系列

ARIS — No.6360 系列 UV 切割胶带

基材

聚烯烃(PO)— 环保友好,高各向同性

胶粘剂类型

UV 释离型丙烯酸胶粘剂

薄系列总厚度

85–110μm(晶圆切割)

UV 切割胶带ARIS 6360晶圆切割半导体工艺聚烯烃胶带UV 释离
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概览

ALS Tape 供应 ARIS No.6360 系列 UV 切割胶带,用于半导体晶圆及基板切割工艺。产品以 UV 释离型丙烯酸胶粘剂涂布于高各向同性聚烯烃(PO)基膜。切割过程中,胶带牢固固定工件;UV 照射后,粘力大幅下降,可实现洁净无残留的芯片拾取。聚烯烃基材环保友好,并提供可控延展性,便于切割后芯片扩张分离。产品分为两个系列:薄基材系列(总厚 85–110μm)适用于晶圆切割;厚基材系列(总厚 150–170μm)适用于基板、玻璃和 LED 切割。各系列提供标准型、高粘力型、易拾取型、限崩型、限毛刺型和高延展型等多种变体。支持工艺流程:贴膜 → 切割 → UV 照射 → 芯片拾取。

分类重点

半导体工艺

用于晶圆、切割、遮蔽和洁净包装应用的半导体工艺胶带和包装材料。

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典型型号与规格方向

Series / ModelThicknessAdhesive TypeLinerProfileTypical Use
6360-00100μm(90+10)UV 释离PO 基膜标准型通用晶圆切割
6360-0595μm(90+5)UV 释离PO 基膜限崩型对崩边敏感的晶圆切割
6360-20100μm(90+10)UV 释离PO 基膜高粘力型难切割材料的牢固固定
6360-50100μm(90+10)UV 释离PO 基膜易拾取型UV 后快速芯片拾取
6368-0085μm(80+5)UV 释离PO 基膜高延展型小节距芯片扩张分离
6360-15160μm(150+10)UV 释离PO 基膜标准型 — 基板/玻璃/LED基板和玻璃面板切割
6360-25160μm(150+10)UV 释离PO 基膜高粘力型高粘力基板切割
6360-55160μm(150+10)UV 释离PO 基膜易拾取型基板/玻璃/LED 快速拾取
6360-95170μm(150+20)UV 释离PO 基膜高粘力 + 易拾取高要求 LED 和玻璃切割
6365-61150μm(140+10)UV 释离PO 基膜限毛刺 + 易拾取对毛刺敏感的基板/玻璃切割
6365-62160μm(140+20)UV 释离PO 基膜高粘力 + 易拾取 + 限毛刺高性能玻璃/LED 切割
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核心特性

UV 释离胶粘剂 — 切割期间牢固固定工件(初始剥离力 0.88–4.10 N/10mm);UV 照射后剥离力降至 0.07–0.30 N/10mm,实现洁净无残留芯片拾取。

聚烯烃(PO)基膜 — 环保友好,高各向同性,提供可控延展性,适用于晶圆、基板、玻璃和 LED 等各类切割应用。

低表面污染 — 专用胶粘剂配方最大限度减少切割芯片及基板表面残留。

两大厚度系列 — 薄系列(85–110μm)用于晶圆切割;厚系列(150–170μm)用于基板、玻璃和 LED 切割。

多规格变体选择 — 同一基材系列内涵盖标准型、高粘力型、易拾取型、限崩型、限毛刺型和高延展型。

长期性能稳定 — 存储期内剥离力稳定;UV 释离性能在延长贴膜存储后(经测试最长 2 年)仍可保持。

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应用

半导体芯片制造中的硅晶圆切割

基板和玻璃面板精密切割

LED 晶圆和芯片切割(含毛刺和崩边控制)

晶圆减薄工艺中的背磨贴膜和 UV 释离

切割后小节距芯片的扩张分离

半导体前道和后道工艺的洁净室胶带供货

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